창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD25N06S240ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD25N06S2-40 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 513pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD25N06S2-40 IPD25N06S2-40-ND SP000252164 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD25N06S240ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD25N06S2, IPD25N06S240ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | AP9960AGM | AP9960AGM APEC/ SMD or Through Hole | AP9960AGM.pdf | |
![]() | DZZ23C13 | DZZ23C13 Dio SOT23 | DZZ23C13.pdf | |
![]() | SD1100C02C | SD1100C02C IR SMD or Through Hole | SD1100C02C.pdf | |
![]() | NBQ321611T-600Y-S | NBQ321611T-600Y-S YAGEO SMD | NBQ321611T-600Y-S.pdf | |
![]() | N18FPVIT | N18FPVIT ST TSSOP | N18FPVIT.pdf | |
![]() | 2SC689 | 2SC689 ORIGINAL CAN | 2SC689.pdf | |
![]() | EPB5220G | EPB5220G PCA SMD or Through Hole | EPB5220G.pdf |