창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD053N08N3GATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD053N08N3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD053N08N3GATMA1-ND IPD053N08N3GATMA1TR SP001127818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPD053N08N3GATMA1 | |
관련 링크 | IPD053N08N, IPD053N08N3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | LTC4366CTS8-2#TRPBF | IC SURGE STOPPER HV TSOT-23-8 | LTC4366CTS8-2#TRPBF.pdf | |
![]() | ERJ-S08F2201V | RES SMD 2.2K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F2201V.pdf | |
![]() | SLA502BF1PA | SLA502BF1PA EPSON SMD or Through Hole | SLA502BF1PA.pdf | |
![]() | 3P4M | 3P4M NEC TO-202 | 3P4M .pdf | |
![]() | BCR3FM-12LB | BCR3FM-12LB Renesas TO-220F | BCR3FM-12LB.pdf | |
![]() | BK34-1B147456MHZ | BK34-1B147456MHZ BLILEY SMD or Through Hole | BK34-1B147456MHZ.pdf | |
![]() | 190700017 | 190700017 Molex SMD or Through Hole | 190700017.pdf | |
![]() | 2SD1328-S / 1D-S | 2SD1328-S / 1D-S Panasonic Sot-23 | 2SD1328-S / 1D-S.pdf | |
![]() | PA46002-0003 | PA46002-0003 PFU QFP | PA46002-0003.pdf | |
![]() | TS19001C100MSB0B3R | TS19001C100MSB0B3R SUNTAN SMD or Through Hole | TS19001C100MSB0B3R.pdf | |
![]() | 1747025-3 | 1747025-3 AMP/tyco SMD-BTB | 1747025-3.pdf |