창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD034N06N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD034N06N3 G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 93µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 167W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD034N06N3 G-ND IPD034N06N3G IPD034N06N3GATMA1 SP000451070 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPD034N06N3 G | |
| 관련 링크 | IPD034N, IPD034N06N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | B41042A5187M | 180µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41042A5187M.pdf | |
![]() | PTN1206E1433BST1 | RES SMD 143K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1433BST1.pdf | |
![]() | HMC322LP4ETR | RF Switch IC SP8T 8GHz 50 Ohm 24-QFN (4x4) | HMC322LP4ETR.pdf | |
![]() | TD6383 | TD6383 TOSH SIP | TD6383.pdf | |
![]() | AF25040AN-10SI-2.7 | AF25040AN-10SI-2.7 ORIGINAL SOP8 | AF25040AN-10SI-2.7.pdf | |
![]() | P3418 | P3418 ON SOP-8 | P3418.pdf | |
![]() | MV48-32-600S | MV48-32-600S AcBel SMD or Through Hole | MV48-32-600S.pdf | |
![]() | OP71CJ | OP71CJ PMI/AD CAN | OP71CJ.pdf | |
![]() | HGTP3N60B3R4724 | HGTP3N60B3R4724 HAR Call | HGTP3N60B3R4724.pdf | |
![]() | PIC16C54A-04/PA37(PD97120) | PIC16C54A-04/PA37(PD97120) MICROCHIR DIP16 | PIC16C54A-04/PA37(PD97120).pdf | |
![]() | MLV3216N180DN | MLV3216N180DN chilisincom/pdf/MLVSeriespdf v | MLV3216N180DN.pdf |