창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB90N06S404ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx90N06S4-04 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 128nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB90N06S4-04 IPB90N06S4-04-ND SP000379632 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB90N06S404ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB90N06S4, IPB90N06S404ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RP73D2B182KBTG | RES SMD 182K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B182KBTG.pdf | |
![]() | S1R72003F00B2 | S1R72003F00B2 EPSON QFP | S1R72003F00B2.pdf | |
![]() | CA3145E | CA3145E HARRIS DIP16 | CA3145E.pdf | |
![]() | GBC36DFBN-M30 | GBC36DFBN-M30 Sullins SMD or Through Hole | GBC36DFBN-M30.pdf | |
![]() | SMBJP6KE20CA | SMBJP6KE20CA MICROSEMI DO-214AA | SMBJP6KE20CA.pdf | |
![]() | 60041-SP | 60041-SP WALDOM SMD or Through Hole | 60041-SP.pdf | |
![]() | T9028-021 | T9028-021 TOSHIBA SOP20 | T9028-021.pdf | |
![]() | NCF524231 | NCF524231 AETL DIP | NCF524231.pdf | |
![]() | 0805J5000471KXT | 0805J5000471KXT SYFER SMD | 0805J5000471KXT.pdf | |
![]() | CD43 331 M | CD43 331 M TASUND SMD or Through Hole | CD43 331 M.pdf | |
![]() | T9AV5L52-12 | T9AV5L52-12 ORIGINAL DIP | T9AV5L52-12.pdf | |
![]() | GRM319R61A106K | GRM319R61A106K MURATA SMD or Through Hole | GRM319R61A106K.pdf |