창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB180N03S4LH0ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB180N03S4L-H0 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-H0-ND SP000555050 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB180N03S4LH0ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB180N03S4, IPB180N03S4LH0ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MCR50JZHF6810 | RES SMD 681 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF6810.pdf | |
![]() | RT0603CRD074K22L | RES SMD 4.22K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRD074K22L.pdf | |
![]() | RSF12GB1K80 | RES MO 1/2W 1.8K OHM 2% AXIAL | RSF12GB1K80.pdf | |
![]() | LM2675M-ADJ NOPB | LM2675M-ADJ NOPB NSC SOP-8 | LM2675M-ADJ NOPB.pdf | |
![]() | BT139-800G | BT139-800G NXP SMD or Through Hole | BT139-800G.pdf | |
![]() | MB90005 | MB90005 N/A QFP | MB90005.pdf | |
![]() | TICP106C | TICP106C TI TO-92 | TICP106C.pdf | |
![]() | RV5-100V330MG10U-R | RV5-100V330MG10U-R ELNA SMD | RV5-100V330MG10U-R.pdf | |
![]() | 74HC00P-E | 74HC00P-E ORIGINAL SMD or Through Hole | 74HC00P-E.pdf | |
![]() | 209-4MS | 209-4MS CTS SMD or Through Hole | 209-4MS.pdf | |
![]() | EPI102161F3030L | EPI102161F3030L PCA F3030L | EPI102161F3030L.pdf |