창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB180N03S4LH0ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB180N03S4L-H0 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.95m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-7-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB180N03S4L-H0 IPB180N03S4L-H0-ND SP000555050 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB180N03S4LH0ATMA1 | |
관련 링크 | IPB180N03S4, IPB180N03S4LH0ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-P6WF1302V | RES SMD 13K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF1302V.pdf | |
![]() | PPT0001GWX2VA | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0001GWX2VA.pdf | |
![]() | G123 | G123 ASTEC SOT153 | G123.pdf | |
![]() | SN75ALS165N | SN75ALS165N TI DIP | SN75ALS165N.pdf | |
![]() | AD451BRZ | AD451BRZ AD SOP | AD451BRZ.pdf | |
![]() | 71V30S55TFG | 71V30S55TFG IDT SMD or Through Hole | 71V30S55TFG.pdf | |
![]() | MDS600-16 | MDS600-16 PD SMD or Through Hole | MDS600-16.pdf | |
![]() | HF50ACB201209TL | HF50ACB201209TL TDK SMD or Through Hole | HF50ACB201209TL.pdf | |
![]() | CY8C22345-24SXI | CY8C22345-24SXI CYPRESS SMD or Through Hole | CY8C22345-24SXI.pdf | |
![]() | XC4010XL-1PQ160 | XC4010XL-1PQ160 N/A QFP | XC4010XL-1PQ160.pdf | |
![]() | DM74H10J | DM74H10J NATIONAL SMD or Through Hole | DM74H10J.pdf | |
![]() | TDA8275AHN/C1,518 | TDA8275AHN/C1,518 PHI HVQFN40 | TDA8275AHN/C1,518.pdf |