Infineon Technologies IPB054N06N3 G

IPB054N06N3 G
제조업체 부품 번호
IPB054N06N3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
IPB054N06N3 G 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 517.43578
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IPB054N06N3 G 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IPB054N06N3 G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IPB054N06N3 G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IPB054N06N3 G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB054N06N3 G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB054N06N3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPx054,57N06N3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.4m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 58µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs82nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6600pF @ 30V
전력 - 최대115W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB054N06N3 G-ND
IPB054N06N3G
IPB054N06N3GATMA1
SP000446782
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPB054N06N3 G
관련 링크IPB054N, IPB054N06N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
IPB054N06N3 G 의 관련 제품
1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C EEU-FM0J102.pdf
0805 5%4K7 ORIGINAL SMD 0805 5%4K7.pdf
220KOHMJ224 SANSUNG SMD or Through Hole 220KOHMJ224.pdf
KDE1204PKVX MS.GN SUNON KDESeries8200RPM KDE1204PKVX MS.GN.pdf
P51-50-S-B-I36-5V-R SSI Onlyoriginal P51-50-S-B-I36-5V-R.pdf
LX7805 ST TO220 LX7805.pdf
PM7541AHPC ADI Call PM7541AHPC.pdf
EL4008CK CAN NS EL4008CK.pdf
ISPGDX160VA-7B388-10I LATTICE BGA ISPGDX160VA-7B388-10I.pdf
39-30-3047 MOLEX SMD or Through Hole 39-30-3047.pdf
K45513233FEL75 ORIGINAL BGA K45513233FEL75.pdf