창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB015N08N5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB015N08N5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 279µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 222nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16900pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-7 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001226034 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB015N08N5ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB015N08, IPB015N08N5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | XPEWHT-L1-0000-00C03 | LED Lighting XLamp® XP-E White, Cool 6000K 3.05V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPEWHT-L1-0000-00C03.pdf | |
![]() | IPSLAT-A1000-5 | PRESSURE TRANS 0-1000MBARA 4-20M | IPSLAT-A1000-5.pdf | |
![]() | TA8000AP | TA8000AP TOSHIBA SIP | TA8000AP.pdf | |
![]() | KSZ8692MPB | KSZ8692MPB Micrel Tray | KSZ8692MPB.pdf | |
![]() | CL707 | CL707 NO SMD or Through Hole | CL707.pdf | |
![]() | VJ1206A1R0BXAMT | VJ1206A1R0BXAMT VITRAMON SMD or Through Hole | VJ1206A1R0BXAMT.pdf | |
![]() | B32529C0102J189 | B32529C0102J189 EPCOS SMD or Through Hole | B32529C0102J189.pdf | |
![]() | P6SMBJ43CAT/R | P6SMBJ43CAT/R PANJIT SMD or Through Hole | P6SMBJ43CAT/R.pdf | |
![]() | XC3S150-FG456 | XC3S150-FG456 ORIGINAL BGA | XC3S150-FG456.pdf | |
![]() | 74F163ASJR | 74F163ASJR ORIGINAL SOP5.2mm | 74F163ASJR.pdf |