창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPA075N15N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPA075N15N3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 43A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7280pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPA075N15N3G IPA075N15N3GXKSA1 SP000607018 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPA075N15N3 G | |
| 관련 링크 | IPA075N, IPA075N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 0617001.MXEP | FUSE 1A 250V AXIAL | 0617001.MXEP.pdf | |
![]() | 4554R-221K | 220µH Unshielded Inductor 640mA 650 mOhm Max Radial | 4554R-221K.pdf | |
![]() | HM20-3M01 | HM20-3M01 ORIGINAL SMD or Through Hole | HM20-3M01.pdf | |
![]() | HWD2190ITLX | HWD2190ITLX ORIGINAL MSOP | HWD2190ITLX.pdf | |
![]() | SDCL1005CR10JT | SDCL1005CR10JT ORIGINAL SMD | SDCL1005CR10JT.pdf | |
![]() | H11L2F | H11L2F Fairchi SMD or Through Hole | H11L2F.pdf | |
![]() | LSI1016E100LT44 | LSI1016E100LT44 Lattice QFP | LSI1016E100LT44.pdf | |
![]() | BU3581F | BU3581F ROHM SOP | BU3581F.pdf | |
![]() | DFYK61G95LBNCV-RD3 | DFYK61G95LBNCV-RD3 MURATA SMD or Through Hole | DFYK61G95LBNCV-RD3.pdf | |
![]() | EPG4002S | EPG4002S PCA SMD or Through Hole | EPG4002S.pdf | |
![]() | 100REV47M12.5X13.5 | 100REV47M12.5X13.5 Rubycon DIP-2 | 100REV47M12.5X13.5.pdf | |
![]() | M2S | M2S TI MSOP | M2S.pdf |