창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPA075N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPA075N15N3 G | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 43A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 270µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7280pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPA075N15N3G IPA075N15N3GXKSA1 SP000607018 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPA075N15N3 G | |
관련 링크 | IPA075N, IPA075N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
416F520XXCTT | 52MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520XXCTT.pdf | ||
GN01120B01MC | GN01120B01MC PANASO SOT-363 | GN01120B01MC.pdf | ||
R1115251B-TR-F | R1115251B-TR-F RICOH SMD or Through Hole | R1115251B-TR-F.pdf | ||
TS63Y10K | TS63Y10K VISHAY SMD | TS63Y10K.pdf | ||
DTR-156-LS-M | DTR-156-LS-M OCP MODL | DTR-156-LS-M.pdf | ||
2DB1132Q | 2DB1132Q DIODES SOT89 | 2DB1132Q.pdf | ||
BAP50-03T/R | BAP50-03T/R PHILIPS SMD or Through Hole | BAP50-03T/R.pdf | ||
SPHWHTHAD605S0W0U4_F3WKV1 | SPHWHTHAD605S0W0U4_F3WKV1 SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPHWHTHAD605S0W0U4_F3WKV1.pdf | ||
CDRH103RNP-150N | CDRH103RNP-150N SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH103RNP-150N.pdf | ||
B32652-A1822-J | B32652-A1822-J ORIGINAL SMD or Through Hole | B32652-A1822-J.pdf | ||
PC4200D | PC4200D ORIGINAL DIP | PC4200D.pdf |