창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IMB9AT110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | EMB9, UMB9N, IMB9A | |
| 카탈로그 페이지 | 1638 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | SMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IMB9AT110-ND IMB9AT110TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IMB9AT110 | |
| 관련 링크 | IMB9A, IMB9AT110 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1206Y104K9RAC7800 | 0.10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.130" L x 0.063" W(3.30mm x 1.60mm) | C1206Y104K9RAC7800.pdf | |
![]() | 4242X | 4242X TI QFN8 | 4242X.pdf | |
![]() | ATFC-0402-8N2-B | ATFC-0402-8N2-B Abracon NA | ATFC-0402-8N2-B.pdf | |
![]() | MAX660EPA | MAX660EPA MAX SMD or Through Hole | MAX660EPA.pdf | |
![]() | AC2525-S | AC2525-S CJAC/ SMD or Through Hole | AC2525-S.pdf | |
![]() | SC311-06 | SC311-06 FUJI DO-214 | SC311-06.pdf | |
![]() | TBJB684K035CRSB0024 | TBJB684K035CRSB0024 AVX SMD | TBJB684K035CRSB0024.pdf | |
![]() | CN1J2TDJ104 | CN1J2TDJ104 KOA SMD or Through Hole | CN1J2TDJ104.pdf | |
![]() | 51628A | 51628A NO SMD-20 | 51628A.pdf | |
![]() | 54HC32DMQB | 54HC32DMQB NSC CDIP14 | 54HC32DMQB.pdf | |
![]() | TCS4890- | TCS4890- TCS MSOP | TCS4890-.pdf | |
![]() | 5962-8681901EA | 5962-8681901EA TI CDIP-16 | 5962-8681901EA.pdf |