창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IDW24G65C5BXKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IDW24G65C5B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | thinQ!™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 실리콘 카바이드 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 650V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 12A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 12A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 190µA @ 650V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001224944 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IDW24G65C5BXKSA1 | |
| 관련 링크 | IDW24G65C, IDW24G65C5BXKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ2220A561KBBAT4X | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A561KBBAT4X.pdf | |
![]() | 416F30011ALT | 30MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30011ALT.pdf | |
![]() | SI8661EC-B-IS1R | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 6 Channel 150Mbps 35kV/µs CMTI 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | SI8661EC-B-IS1R.pdf | |
![]() | ICE-326-S-TG | ICE-326-S-TG ROBINSON SMD or Through Hole | ICE-326-S-TG.pdf | |
![]() | USE1403 | USE1403 MSC TO-220 | USE1403.pdf | |
![]() | HC-027 | HC-027 TAIMAG SMD or Through Hole | HC-027.pdf | |
![]() | MAX8795AECJ+ | MAX8795AECJ+ MAX LQFP | MAX8795AECJ+.pdf | |
![]() | TSP79928DDCR | TSP79928DDCR TI SOT23 | TSP79928DDCR.pdf | |
![]() | XC912B32CFU | XC912B32CFU MOT QFP | XC912B32CFU.pdf | |
![]() | NRSH331M50V10 x 23F | NRSH331M50V10 x 23F NIC DIP | NRSH331M50V10 x 23F.pdf |