창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IDT70V06 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | IDT70V06 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | IDT70V06 | |
| 관련 링크 | IDT7, IDT70V06 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LC22A | TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO202AA | LC22A.pdf | |
![]() | ECL05US05-T | AC/DC CONVERTER 5V 5W | ECL05US05-T.pdf | |
![]() | MHQ0603P13NJT000 | 13nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.5 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P13NJT000.pdf | |
![]() | FIT106-1-B | 253µH Unshielded Toroidal Inductor 4A 139 mOhm Max Radial | FIT106-1-B.pdf | |
![]() | DP11SVN20B20S | DP11S VER 20P NDET 20S M7*7MM | DP11SVN20B20S.pdf | |
![]() | 3392AE | 3392AE CATALYST SMD or Through Hole | 3392AE.pdf | |
![]() | K4X2G323PB-8GC3 | K4X2G323PB-8GC3 SAMSUNG BGA | K4X2G323PB-8GC3.pdf | |
![]() | 74LVC1G80GW,115 | 74LVC1G80GW,115 PHILIPS SMD or Through Hole | 74LVC1G80GW,115.pdf | |
![]() | G882-P | G882-P GTM SMD or Through Hole | G882-P.pdf | |
![]() | 4N60L-X-B TO-251 | 4N60L-X-B TO-251 UTC TO251 | 4N60L-X-B TO-251.pdf | |
![]() | TC19G032AP-0036 | TC19G032AP-0036 ORIGINAL DIP | TC19G032AP-0036.pdf | |
![]() | 3186GE332T450APA1 | 3186GE332T450APA1 CDE DIP | 3186GE332T450APA1.pdf |