창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HTZ250G39K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HTZ250G Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 39200V(39.2kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 2.7A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 32V @ 12A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 39200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 공급 장치 패키지 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HTZ250G39K | |
| 관련 링크 | HTZ250, HTZ250G39K 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 18122C104KAZ2A | 0.10µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 18122C104KAZ2A.pdf | |
![]() | BYV79E-200,127 | DIODE GEN PURP 200V 14A TO220AC | BYV79E-200,127.pdf | |
| CB2012T100KRV | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CB2012T100KRV.pdf | ||
![]() | CMF604R9900FKR6 | RES 4.99 OHM 1W 1% AXIAL | CMF604R9900FKR6.pdf | |
![]() | M48T35AV-15PC1 | M48T35AV-15PC1 ST DIP | M48T35AV-15PC1.pdf | |
![]() | ATF1504AS15JC68 | ATF1504AS15JC68 ATMEL PLCC | ATF1504AS15JC68.pdf | |
![]() | BS250FTC | BS250FTC ZETEX SOT-23 | BS250FTC.pdf | |
![]() | SG6859ATZ | SG6859ATZ FAIRCHILD SOT23-6 | SG6859ATZ.pdf | |
![]() | M48T128Y-85PMI | M48T128Y-85PMI ST SMD or Through Hole | M48T128Y-85PMI.pdf | |
![]() | L6020307 | L6020307 NVIDIA BGA | L6020307.pdf | |
![]() | TC4SU69F(TE85L.F) | TC4SU69F(TE85L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TC4SU69F(TE85L.F).pdf | |
![]() | MM58167N-T | MM58167N-T NSC DIP | MM58167N-T.pdf |