창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HC79R1H105M-TRN | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HC79R1H105M-TRN | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HC79R1H105M-TRN | |
관련 링크 | HC79R1H10, HC79R1H105M-TRN 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CL10A105KL8NNNC | 1µF 35V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10A105KL8NNNC.pdf | ||
5.0SMDJ33A | TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMD | 5.0SMDJ33A.pdf | ||
4554R-2R2K | 2.2µH Unshielded Inductor 6.5A 21 mOhm Max Radial | 4554R-2R2K.pdf | ||
CRCW121068R1FKEA | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121068R1FKEA.pdf | ||
PXV1220S-8DBN2-T | RF Attenuator 8dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-8DBN2-T.pdf | ||
S3C8325X11-QWR5 | S3C8325X11-QWR5 SAMSUNG QFP | S3C8325X11-QWR5.pdf | ||
CM0814 | CM0814 ORIGINAL SOT89 | CM0814.pdf | ||
TMS9902NLPULLS | TMS9902NLPULLS ti SMD or Through Hole | TMS9902NLPULLS.pdf | ||
TLP421D4GB | TLP421D4GB tosh SMD or Through Hole | TLP421D4GB.pdf | ||
APT40GT60 | APT40GT60 APT TO-247 | APT40GT60.pdf | ||
04 6299 0200 10 833+(046299020010833+) | 04 6299 0200 10 833+(046299020010833+) ORIGINAL SMD or Through Hole | 04 6299 0200 10 833+(046299020010833+).pdf | ||
MT231230 | MT231230 ORIGINAL DIP | MT231230.pdf |