창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-H7N1002LSTL-E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | H7N1002LD,LS,LM | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 37.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9700pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | 4-LDPAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | H7N1002LSTL-E | |
관련 링크 | H7N1002, H7N1002LSTL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | ECJ-2VF1C154Z | 0.15µF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VF1C154Z.pdf | |
![]() | UP0.4UC-2R2-R | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.4A 70 mOhm Max Nonstandard | UP0.4UC-2R2-R.pdf | |
![]() | TMC005F1J120T8N | TMC005F1J120T8N TOPM SMD or Through Hole | TMC005F1J120T8N.pdf | |
![]() | AT25F2048N10SU2.7 | AT25F2048N10SU2.7 ATMEL 14PINDIP | AT25F2048N10SU2.7.pdf | |
![]() | TNETV1015ZDW | TNETV1015ZDW TI BGA | TNETV1015ZDW.pdf | |
![]() | STLC7544 | STLC7544 ST QFP | STLC7544.pdf | |
![]() | UMK212BJ224KD-T | UMK212BJ224KD-T TAIYO SMD | UMK212BJ224KD-T.pdf | |
![]() | MAX809SQ293T1G-ON | MAX809SQ293T1G-ON ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX809SQ293T1G-ON.pdf | |
![]() | AU9222C21-HBL-NP | AU9222C21-HBL-NP ALCOR QFP | AU9222C21-HBL-NP.pdf | |
![]() | MB6S-R | MB6S-R ORIGINAL MD-S | MB6S-R.pdf | |
![]() | 1N1606A | 1N1606A MSC STUD | 1N1606A.pdf | |
![]() | DAC081S101CIMK NOPB | DAC081S101CIMK NOPB NSC SMD or Through Hole | DAC081S101CIMK NOPB.pdf |