창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB090N06N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx090,93N06N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB090N06N3 G-ND IPB090N06N3G IPB090N06N3GATMA1 SP000398042 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPB090N06N3 G | |
| 관련 링크 | IPB090N, IPB090N06N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TAJB475K020RNJ | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1210 (3528 Metric) 3 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJB475K020RNJ.pdf | |
![]() | 162PC01G | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.2" (5mm) Tube 1 V ~ 7 V 3-SIP Module | 162PC01G.pdf | |
![]() | NTHS0805N17N1003KF | NTC Thermistor 100k 0805 (2012 Metric) | NTHS0805N17N1003KF.pdf | |
![]() | MAX6314US26D1-T | MAX6314US26D1-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6314US26D1-T.pdf | |
![]() | DM54LS390J | DM54LS390J NS DIP | DM54LS390J.pdf | |
![]() | 250-6001-306 | 250-6001-306 AMIS PLCC68 | 250-6001-306.pdf | |
![]() | LC4064V75TN100-10 | LC4064V75TN100-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | LC4064V75TN100-10.pdf | |
![]() | BFQ193E-6327 | BFQ193E-6327 SIEMENS SOT89 | BFQ193E-6327.pdf | |
![]() | XLZR11WJ | XLZR11WJ SunLED SMD or Through Hole | XLZR11WJ.pdf | |
![]() | M377S6450BT3-C1H | M377S6450BT3-C1H Samsung Tray | M377S6450BT3-C1H.pdf |