창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GRM0335C1ER40CA01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GRM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.40pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GRM0335C1ER40CA01D | |
관련 링크 | GRM0335C1E, GRM0335C1ER40CA01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
25PX6800MEFC16X35.5 | 6800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 25PX6800MEFC16X35.5.pdf | ||
![]() | C1210C102KDGACTU | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C102KDGACTU.pdf | |
![]() | T495X227K006ATE100 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495X227K006ATE100.pdf | |
![]() | TAS565K035P1C-F | 5.6µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 35V Axial 0.185" Dia x 0.474" L (4.70mm x 12.04mm) | TAS565K035P1C-F.pdf | |
![]() | LTC6906IS6#TRPBF | LTC6906IS6#TRPBF LT SOP | LTC6906IS6#TRPBF.pdf | |
![]() | CSCJ360AT36.000MHZ | CSCJ360AT36.000MHZ RIVER SMD or Through Hole | CSCJ360AT36.000MHZ.pdf | |
![]() | AD71004Z | AD71004Z AnalogDevicesInc SMD or Through Hole | AD71004Z.pdf | |
![]() | 2SK1657(G19) | 2SK1657(G19) NEC SOT23 | 2SK1657(G19).pdf | |
![]() | K9W4G08U0A-iIB0 | K9W4G08U0A-iIB0 SAMSUNG BGA | K9W4G08U0A-iIB0.pdf | |
![]() | KN48C128J-45 | KN48C128J-45 ORIGINAL SMD | KN48C128J-45.pdf | |
![]() | HPA150R4 | HPA150R4 Sanyo SMD or Through Hole | HPA150R4.pdf |