- GQM1875C2E470JB12
- 제조업체 부품 번호
- GQM1875C2E470JB12
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 2
- 간단한 설명
- GQM1875C2E470JB12 MURATA SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
GQM1875C2E470JB12 가격 및 조달
가능 수량
59990 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GQM1875C2E470JB12 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GQM1875C2E470JB12 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GQM1875C2E470JB12가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GQM1875C2E470JB12 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GQM1875C2E470JB12 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM1875C2E470JB12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GQM1875C2E470JB12 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GQM1875C2E470JB12 | |
| 관련 링크 | GQM1875C2E, GQM1875C2E470JB12 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GQM1875C2E470JB12 의 관련 제품
| MKP385556085JPI4T0 | 5.6µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385556085JPI4T0.pdf | |
 | B72214S2321K101 | VARISTOR 510V 6KA DISC 14MM | B72214S2321K101.pdf | |
 | SPD127-123M | 12µH Shielded Wirewound Inductor 4.9A 45 mOhm Max Nonstandard | SPD127-123M.pdf | |
 | 605SJR00500E-T | RES SMD 0.005 OHM 5% 1/2W L BEND | 605SJR00500E-T.pdf | |
.jpg) | TNPW251226K1BEEG | RES SMD 26.1K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW251226K1BEEG.pdf | |
| DC12S09-2W | DC12S09-2W HLDY SMD or Through Hole | DC12S09-2W.pdf | |
| RD200E-T1 | RD200E-T1 NEC DO35 | RD200E-T1.pdf | |
| CD2132NL | CD2132NL TI DIP 16 | CD2132NL.pdf | |
| 2381-615-3104 | 2381-615-3104 BCC SMD or Through Hole | 2381-615-3104.pdf | |
| P3596 | P3596 ORIGINAL SMD or Through Hole | P3596.pdf | |
| WL06JT27N | WL06JT27N Seielect SMD | WL06JT27N.pdf | |
| CXA3264TN | CXA3264TN SONY SSOP | CXA3264TN.pdf |