창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M005A060PGH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M005A060CG, PG(H) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 658pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 98.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1202-1 1560-1202-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M005A060PGH | |
관련 링크 | GP2M005A, GP2M005A060PGH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | IXFK16N90Q | MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA | IXFK16N90Q.pdf | |
![]() | Y078527K4000D9L | RES 27.4K OHM 0.6W 0.5% RADIAL | Y078527K4000D9L.pdf | |
![]() | BAT54W KL5 | BAT54W KL5 KTG SOT-323 | BAT54W KL5.pdf | |
![]() | PA-2328(B) | PA-2328(B) ORIGINAL DIP SOP | PA-2328(B).pdf | |
![]() | TCSCS1E156KDAR | TCSCS1E156KDAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS1E156KDAR.pdf | |
![]() | MLC9800A | MLC9800A MCSLOGIC TQFP | MLC9800A.pdf | |
![]() | BMC0402HF-3N9K | BMC0402HF-3N9K BOURNS SMD | BMC0402HF-3N9K.pdf | |
![]() | NSPC682J50TR | NSPC682J50TR JAPAN SMD or Through Hole | NSPC682J50TR.pdf | |
![]() | MC33174DR2. | MC33174DR2. MOT SOP14 | MC33174DR2..pdf | |
![]() | WP90953L7 | WP90953L7 ORIGINAL DIP-14 | WP90953L7.pdf | |
![]() | RN1A108M16025 | RN1A108M16025 SAMWH DIP | RN1A108M16025.pdf |