창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1S092HCPIF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1S092HCPIF GP1S092HCPIF Spec. | |
| PCN 설계/사양 | Internal Emitter Chip 04/May/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 2775 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 광 차단기 - 슬롯형 - 트랜지스터 출력 | |
| 제조업체 | Sharp Microelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 감지 거리 | 0.079"(2mm) | |
| 감지 방법 | 투과형 | |
| 출력 구성 | 광트랜지스터 | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 35V | |
| 응답 시간 | 50µs, 50µs | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD | |
| 유형 | 비증폭 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 425-1962-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1S092HCPIF | |
| 관련 링크 | GP1S092, GP1S092HCPIF 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MAL205948221E3 | 220µF 385V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 580 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 105°C | MAL205948221E3.pdf | |
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![]() | NLV32T1R5J-PF | NLV32T1R5J-PF TDK SMD | NLV32T1R5J-PF.pdf | |
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![]() | LC78631E | LC78631E SANYO QFP | LC78631E.pdf | |
![]() | TARS226M010RNJ | TARS226M010RNJ AVX S | TARS226M010RNJ.pdf | |
![]() | 8829CPNG4PV5=HISENSE-8823-2 | 8829CPNG4PV5=HISENSE-8823-2 HISENSE DIP64 | 8829CPNG4PV5=HISENSE-8823-2.pdf |