창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M010A060H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M010A060(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1891pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 198W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1175-1 1560-1175-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M010A060H | |
관련 링크 | GP1M010, GP1M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
406I35E32M00000 | 32MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35E32M00000.pdf | ||
DSC400-4444Q0030KI1T | HCSL MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 20-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V Enable/Disable | DSC400-4444Q0030KI1T.pdf | ||
RMCP2010FT39R2 | RES SMD 39.2 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT39R2.pdf | ||
33nF_5%_50V | 33nF_5%_50V FH SMD or Through Hole | 33nF_5%_50V.pdf | ||
T2709N20TOF | T2709N20TOF infineon/EUPEC SMD or Through Hole | T2709N20TOF.pdf | ||
LTSR25NP | LTSR25NP LEM SMD or Through Hole | LTSR25NP.pdf | ||
DAC801GW302D | DAC801GW302D MEI SMD | DAC801GW302D.pdf | ||
AXT580124AH1 | AXT580124AH1 PANASONIC SMD | AXT580124AH1.pdf | ||
MN6713FA | MN6713FA PASO SMD or Through Hole | MN6713FA.pdf | ||
DAP2000 | DAP2000 TI QFP | DAP2000.pdf | ||
AMC6821SDBQG4 | AMC6821SDBQG4 TI/BB SSOP QSOP16 | AMC6821SDBQG4.pdf | ||
AOB10N60 | AOB10N60 AOS TO-263 | AOB10N60.pdf |