창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GNM314R71E104MA11D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GNM Capacitor Arrays GNM314R71E104MA11 Ref Sheet | |
| PCN 단종/ EOL | GR,GC,GN Series 30/May/2012 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 커패시터 어레이 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GNM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.1µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 유전체 소재 | 세라믹 | |
| 커패시터 개수 | 4 | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.037"(0.94mm) | |
| 등급 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 490-6085-2 GNM314R71E104MA11D-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GNM314R71E104MA11D | |
| 관련 링크 | GNM314R71E, GNM314R71E104MA11D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | LP250F33CDT | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP250F33CDT.pdf | |
![]() | BLF6G10LS-135RN,11 | FET RF 65V 891.5MHZ SOT502B | BLF6G10LS-135RN,11.pdf | |
![]() | FDN302P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 | FDN302P.pdf | |
![]() | 5199375C01 | 5199375C01 ORIGINAL BGA | 5199375C01.pdf | |
![]() | MSMCC-1R0M-00 | MSMCC-1R0M-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSMCC-1R0M-00.pdf | |
![]() | CEJMK107BJ474MAEL | CEJMK107BJ474MAEL TAIYO SMD | CEJMK107BJ474MAEL.pdf | |
![]() | V600ME12-LF | V600ME12-LF Z-COMM SMD or Through Hole | V600ME12-LF.pdf | |
![]() | NKE0505DC S0505 DIP | NKE0505DC S0505 DIP MPS G0945 | NKE0505DC S0505 DIP.pdf | |
![]() | EXBV8V474JV | EXBV8V474JV ORIGINAL SMD or Through Hole | EXBV8V474JV.pdf | |
![]() | MKW2635 | MKW2635 MINMAX DC-DC | MKW2635.pdf | |
![]() | HFKC-012-2ZST(555) | HFKC-012-2ZST(555) ORIGINAL SMD or Through Hole | HFKC-012-2ZST(555).pdf | |
![]() | GXA2G822Y | GXA2G822Y HIT DIP | GXA2G822Y.pdf |