- GN1A4M-T1B
GN1A4M-T1B 가격 및 조달
가능 수량
115980 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GN1A4M-T1B 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GN1A4M-T1B 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GN1A4M-T1B가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GN1A4M-T1B 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GN1A4M-T1B 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GN1A4M-T1B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GN1A4M-T1B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT323 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GN1A4M-T1B | |
| 관련 링크 | GN1A4M, GN1A4M-T1B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GN1A4M-T1B 의 관련 제품
.jpg) | 600F1R0BT250XT | 1pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F1R0BT250XT.pdf | |
 | HM79-50560LFTR13 | 56µH Unshielded Wirewound Inductor 1.01A 199 mOhm Max Nonstandard | HM79-50560LFTR13.pdf | |
| 54QHSC374CSBAF | 54QHSC374CSBAF INTERSIL SMD or Through Hole | 54QHSC374CSBAF.pdf | |
| SNMLS08J | SNMLS08J TI DIP | SNMLS08J.pdf | |
| PI5A3157-EX | PI5A3157-EX PERICOM SMD | PI5A3157-EX.pdf | |
| SP481N | SP481N SP SMD-8 | SP481N.pdf | |
| U05C | U05C HITACHI DIP | U05C.pdf | |
| C8051F300-35 | C8051F300-35 SILICON SMD or Through Hole | C8051F300-35.pdf | |
| 9C12063A9R09FGAFT | 9C12063A9R09FGAFT YAGEO SMD or Through Hole | 9C12063A9R09FGAFT.pdf | |
| D1508B | D1508B ORIGINAL DIP-16 | D1508B.pdf | |
| mf0207fte5219.1 | mf0207fte5219.1 yag SMD or Through Hole | mf0207fte5219.1.pdf |