창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E1R2BB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs GJM0335C1E1R2BB01 Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GJM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1.2pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 490-11173-2 GJM0335C1E1R2BB01D-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GJM0335C1E1R2BB01D | |
관련 링크 | GJM0335C1E, GJM0335C1E1R2BB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
CMR05E680JPDR | CMR MICA | CMR05E680JPDR.pdf | ||
SIT9122AC-1C3-33E312.500000Y | OSC XO 3.3V 312.5MHZ OE | SIT9122AC-1C3-33E312.500000Y.pdf | ||
BZX585-B2V4.115 | BZX585-B2V4.115 NXP NA | BZX585-B2V4.115.pdf | ||
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0406-560K | 0406-560K LY DIP | 0406-560K.pdf | ||
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R8583AE | R8583AE ORIGINAL DIP | R8583AE.pdf |