창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA10JT12-263 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA10JT12-263 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 10A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1403pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA10JT12-263 | |
관련 링크 | GA10JT1, GA10JT12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 25SGV220M10X10.5 | 220µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 25SGV220M10X10.5.pdf | |
![]() | UPS1V330MDD1TA | 33µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPS1V330MDD1TA.pdf | |
![]() | RP73D2A1K18BTG | RES SMD 1.18K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A1K18BTG.pdf | |
![]() | Y174610K0167B9L | RES SMD 10.0167K OHM 0.6W J LEAD | Y174610K0167B9L.pdf | |
![]() | RC12JT3M90 | RES 3.9M OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JT3M90.pdf | |
![]() | OPB891T55Z | SENS OPTO SLOT 3.18MM TRANS THRU | OPB891T55Z.pdf | |
![]() | TACR156M004 | TACR156M004 AVX SMD or Through Hole | TACR156M004.pdf | |
![]() | NB20J00562JBA | NB20J00562JBA AVX SMD | NB20J00562JBA.pdf | |
![]() | AT29C010A-20TC | AT29C010A-20TC ATMEL TSOP32 | AT29C010A-20TC.pdf | |
![]() | AAT8515 | AAT8515 ORIGINAL SMD or Through Hole | AAT8515.pdf | |
![]() | FTSH12501LDYK4PTR | FTSH12501LDYK4PTR SAT SMD or Through Hole | FTSH12501LDYK4PTR.pdf |