GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
- 제조업체 부품 번호
- GA10JT12-263
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- TRANS SJT 1200V 25A
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GA10JT12-263 가격 및 조달
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9352 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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- ₩ 13,757.76240
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GA10JT12-263 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GA10JT12-263 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GA10JT12-263 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
| FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 10A | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1403pF @ 800V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GA10JT12-263 | |
| 관련 링크 | GA10JT1, GA10JT12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
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