창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF9P25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF9P25 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | QFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1180pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FQPF9P25-ND FQPF9P25FS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF9P25 | |
| 관련 링크 | FQPF, FQPF9P25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LQW18AN12NG10D | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 71 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN12NG10D.pdf | |
![]() | LQB18NNR27M10D | 270nH Shielded Multilayer Inductor 450mA 450 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQB18NNR27M10D.pdf | |
![]() | IDT72V3673L1CPF | IDT72V3673L1CPF IDT QFP | IDT72V3673L1CPF.pdf | |
![]() | MAX2584ELM | MAX2584ELM MAXIM QFN | MAX2584ELM.pdf | |
![]() | SDV1005A140C121NPTF | SDV1005A140C121NPTF Sun SMD | SDV1005A140C121NPTF.pdf | |
![]() | TA7371 | TA7371 TOSHIBA SOP-8 | TA7371.pdf | |
![]() | CY7C453-20JI | CY7C453-20JI CYPRESS SMD or Through Hole | CY7C453-20JI.pdf | |
![]() | NH82801GBMQK65ES | NH82801GBMQK65ES INTEL SMD or Through Hole | NH82801GBMQK65ES.pdf | |
![]() | PIC24C65/SM | PIC24C65/SM MICROCHIP SOP8-5.2 | PIC24C65/SM.pdf | |
![]() | ADV212BBCZ | ADV212BBCZ ADI BGA | ADV212BBCZ.pdf | |
![]() | Q22FA1280009211 | Q22FA1280009211 Epson SMD or Through Hole | Q22FA1280009211.pdf |