창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N60CFT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF8N60CF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 3.13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF8N60CFT | |
| 관련 링크 | FQPF8N, FQPF8N60CFT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-G2-33E-66.667000T | OSC XO 3.3V 66.667MHZ OE | SIT8208AI-G2-33E-66.667000T.pdf | |
![]() | SIT9121AI-1C3-33E146.666666T | OSC XO 3.3V 146.666666MHZ | SIT9121AI-1C3-33E146.666666T.pdf | |
![]() | IRF624STRL | MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK | IRF624STRL.pdf | |
![]() | JWS15012/A | AC/DC CONVERTER 12V 150W | JWS15012/A.pdf | |
![]() | RT0805BRD078K06L | RES SMD 8.06K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD078K06L.pdf | |
![]() | KIA78R10 | KIA78R10 KEC TO-220F | KIA78R10.pdf | |
![]() | R1112N28B | R1112N28B ORIGINAL SMD or Through Hole | R1112N28B.pdf | |
![]() | P87C54X2FBD | P87C54X2FBD NXP LQFP44 | P87C54X2FBD.pdf | |
![]() | 5STP2.5-R | 5STP2.5-R BEL SMD or Through Hole | 5STP2.5-R.pdf | |
![]() | HYB18T51216DAF-5 | HYB18T51216DAF-5 maxim SO-20 | HYB18T51216DAF-5.pdf | |
![]() | K9WAG08U1B-PCK0 | K9WAG08U1B-PCK0 SAMSUNG TSOP | K9WAG08U1B-PCK0.pdf |