Fairchild Semiconductor FQPF8N60CFT

FQPF8N60CFT
제조업체 부품 번호
FQPF8N60CFT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220F
데이터 시트 다운로드
다운로드
FQPF8N60CFT 가격 및 조달

가능 수량

9705 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 695.85476
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FQPF8N60CFT 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FQPF8N60CFT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FQPF8N60CFT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FQPF8N60CFT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FQPF8N60CFT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FQPF8N60CFT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FQPF8N60CF
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열FRFET®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6.26A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5옴 @ 3.13A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs36nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1255pF @ 25V
전력 - 최대48W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FQPF8N60CFT
관련 링크FQPF8N, FQPF8N60CFT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FQPF8N60CFT 의 관련 제품
1µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GCM188R71E105KA64J.pdf
RES SMD 887K OHM 1% 2W 2512 CRGH2512F887K.pdf
RES 1.8K OHM 1/6W 5% AXIAL CFR-12JB-52-1K8.pdf
SWSS0302-R82MT Sunlord SMD or Through Hole SWSS0302-R82MT.pdf
1-180908-5 TYCO SMD or Through Hole 1-180908-5.pdf
2221A-2 ST TSSOP-16 2221A-2.pdf
16087-X-001-3 TAITIEN SMD 16087-X-001-3.pdf
74FB2031 TI QFP 74FB2031.pdf
41411 TYCO NA 41411.pdf
PS-7548 ORIGINAL NEW PS-7548.pdf
MABAES0029 M/A-COM ROHS MABAES0029.pdf
APL3015ECF01 ORIGINAL SMD or Through Hole APL3015ECF01.pdf