창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FQPF8N60CFT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FQPF8N60CF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | FRFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.26A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 3.13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1255pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FQPF8N60CFT | |
| 관련 링크 | FQPF8N, FQPF8N60CFT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW0603120RBETA | RES SMD 120 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603120RBETA.pdf | |
![]() | MBB02070D6981DC100 | RES 6.98K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D6981DC100.pdf | |
![]() | AZ-SS-105LM | AZ-SS-105LM GOODSKY DIP-SOP | AZ-SS-105LM.pdf | |
![]() | 71F7549 | 71F7549 ORIGINAL PGA | 71F7549.pdf | |
![]() | RTS0031BM | RTS0031BM ORIGINAL DIP | RTS0031BM.pdf | |
![]() | MD1501A04PNL | MD1501A04PNL RENESAS SMD or Through Hole | MD1501A04PNL.pdf | |
![]() | LT1952IGN-1PBF | LT1952IGN-1PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1952IGN-1PBF.pdf | |
![]() | NAWT100M50V6.3X6.1NBF | NAWT100M50V6.3X6.1NBF NIC SMD or Through Hole | NAWT100M50V6.3X6.1NBF.pdf | |
![]() | GJ-1044-W | GJ-1044-W ORIGINAL SMD or Through Hole | GJ-1044-W.pdf | |
![]() | KS6MOU1453CBPES | KS6MOU1453CBPES KAWATETSU BGA | KS6MOU1453CBPES.pdf | |
![]() | GDLHTA6450 | GDLHTA6450 KYCON SMD or Through Hole | GDLHTA6450.pdf | |
![]() | CX8817DN | CX8817DN TI DIP | CX8817DN.pdf |