창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP32N20C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP(F)32N20C TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 82m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FQP32N20C-ND FQP32N20CFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP32N20C | |
관련 링크 | FQP32, FQP32N20C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
950203 | 950203 ST SOP8 | 950203.pdf | ||
TZM5240B(10V) | TZM5240B(10V) VISHAY SMD or Through Hole | TZM5240B(10V).pdf | ||
2010 2.2K | 2010 2.2K ORIGINAL 2010 | 2010 2.2K.pdf | ||
AG031 | AG031 ORIGINAL QFP | AG031.pdf | ||
LD2980AM25R | LD2980AM25R ST SOT25 | LD2980AM25R.pdf | ||
CK05BX333K | CK05BX333K AVX SMD or Through Hole | CK05BX333K.pdf | ||
CLGD7543-85QC-BF | CLGD7543-85QC-BF CIRRUSLO SMD or Through Hole | CLGD7543-85QC-BF.pdf | ||
IRGGPH30K | IRGGPH30K IR SMD or Through Hole | IRGGPH30K.pdf | ||
MOR2WTC75J | MOR2WTC75J ABCO SMD or Through Hole | MOR2WTC75J.pdf | ||
293D156X0035D2T(35V15UF) | 293D156X0035D2T(35V15UF) SPRAGUE D | 293D156X0035D2T(35V15UF).pdf | ||
35T02-51 | 35T02-51 ST SOP14 | 35T02-51.pdf | ||
BH8871.1 | BH8871.1 BN SOP28 | BH8871.1.pdf |