창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTGV100H60T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTGV100H60T3G Power Products Catalog | |
| PCN 설계/사양 | SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Power Module Disc 23/Mar/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 모듈 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| IGBT 유형 | NPT, 트렌치 필드 스톱 | |
| 구성 | 풀 브리지 인버터 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150A | |
| 전력 - 최대 | 340W | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 100A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 250µA | |
| 입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 6.1nF @ 25V | |
| 입력 | 표준 | |
| NTC 서미스터 | 있음 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP3 | |
| 공급 장치 패키지 | SP3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTGV100H60T3G | |
| 관련 링크 | APTGV100, APTGV100H60T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
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![]() | CRGH2010F18K7 | RES SMD 18.7K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F18K7.pdf | |
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