창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQP20N06L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQP20N06L TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 53W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQP20N06L | |
관련 링크 | FQP20, FQP20N06L 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 377NB3I2000T | 200MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 55mA Enable/Disable | 377NB3I2000T.pdf | |
![]() | FAR-G5QC-942M50-N2CD | FAR-G5QC-942M50-N2CD FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-G5QC-942M50-N2CD.pdf | |
![]() | TC1017R-2.8VLTTR | TC1017R-2.8VLTTR Microchip SC-70-5 | TC1017R-2.8VLTTR.pdf | |
![]() | NJM062M-TBB | NJM062M-TBB ORIGINAL SOP-8 | NJM062M-TBB.pdf | |
![]() | 16SA100K | 16SA100K Sanyo N A | 16SA100K.pdf | |
![]() | 86CM49UG-6G01 | 86CM49UG-6G01 TOS QFP | 86CM49UG-6G01.pdf | |
![]() | 033222-1 | 033222-1 ORIGINAL SOP14 | 033222-1.pdf | |
![]() | EUP7965-28VIR1 TEL:82766440 | EUP7965-28VIR1 TEL:82766440 EUTECH SMD or Through Hole | EUP7965-28VIR1 TEL:82766440.pdf | |
![]() | DF19G-30S/PR-MD2 | DF19G-30S/PR-MD2 Hirose SMD or Through Hole | DF19G-30S/PR-MD2.pdf | |
![]() | C3319/30 | C3319/30 M SMD or Through Hole | C3319/30.pdf | |
![]() | K4H511638M-TCA0 | K4H511638M-TCA0 SAMSUNG TSOP66 | K4H511638M-TCA0.pdf | |
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