창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL3803PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL3803PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRL3803 Saber Model IRL3803 Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 71A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL3803PBF SP001557982 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL3803PBF | |
| 관련 링크 | IRL380, IRL3803PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RCL0612261RFKEA | RES SMD 261 OHM 1/2W 1206 WIDE | RCL0612261RFKEA.pdf | |
![]() | Y607849K9000V0L | RES 49.9K OHM .3W .005% RADIAL | Y607849K9000V0L.pdf | |
![]() | REF50D | REF50D AD SMD or Through Hole | REF50D.pdf | |
![]() | HUA12800 | HUA12800 N/A BGA | HUA12800.pdf | |
![]() | 3P9658XZZSH | 3P9658XZZSH ORIGINAL SOP16 | 3P9658XZZSH.pdf | |
![]() | HCF4541 | HCF4541 ST SOP | HCF4541.pdf | |
![]() | RN5VS21AA-TR | RN5VS21AA-TR RICOH SOT-23-5 | RN5VS21AA-TR.pdf | |
![]() | TCFGP0J155M8R | TCFGP0J155M8R ORIGINAL SMD or Through Hole | TCFGP0J155M8R.pdf | |
![]() | G5519RA1U | G5519RA1U GMT QFN24 | G5519RA1U.pdf | |
![]() | U20D10D | U20D10D MOSPEC TO-3P | U20D10D.pdf | |
![]() | HC377DWR | HC377DWR TI SOP20 | HC377DWR.pdf | |
![]() | THGVN0G4D1DTGOO | THGVN0G4D1DTGOO ORIGINAL BGA | THGVN0G4D1DTGOO.pdf |