창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL3803PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL3803PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRL3803 Saber Model IRL3803 Spice Model | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 71A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL3803PBF SP001557982 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL3803PBF | |
관련 링크 | IRL380, IRL3803PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RT1206WRB0768RL | RES SMD 68 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0768RL.pdf | ||
CRCW1206169RFKTA | RES SMD 169 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206169RFKTA.pdf | ||
LT1028NJ8 | LT1028NJ8 LT DIP | LT1028NJ8.pdf | ||
J501-1 | J501-1 ORIGINAL SOT23-3 | J501-1.pdf | ||
ST7906 | ST7906 ST TO-220 | ST7906.pdf | ||
LMV774MTX+ | LMV774MTX+ NSC SMD or Through Hole | LMV774MTX+.pdf | ||
2N2433A | 2N2433A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N2433A.pdf | ||
PK110FB120 | PK110FB120 ORIGINAL SMD or Through Hole | PK110FB120.pdf | ||
C3B-A0577 | C3B-A0577 TOKO SMD or Through Hole | C3B-A0577.pdf | ||
1826-1120 | 1826-1120 XP DIP-20 | 1826-1120.pdf | ||
DA78G01C | DA78G01C FSC SMD or Through Hole | DA78G01C.pdf | ||
PC2SD11YTZ | PC2SD11YTZ SHARP D S | PC2SD11YTZ.pdf |