창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQD7P20TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQD7P20 D-PAK Tape and Reel Data | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 690m옴 @ 2.85A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 770pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FQD7P20TM-ND FQD7P20TMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQD7P20TM | |
관련 링크 | FQD7P, FQD7P20TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
AM79C82AKC | AM79C82AKC AMD QFP100 | AM79C82AKC.pdf | ||
RE3-100V100MF3 | RE3-100V100MF3 ELNA DIP | RE3-100V100MF3.pdf | ||
HC55138IM | HC55138IM HARRIS PLCC28 | HC55138IM.pdf | ||
SMUN2130T1 | SMUN2130T1 ONS SMD or Through Hole | SMUN2130T1.pdf | ||
BFR86AB | BFR86AB ORIGINAL to-92 | BFR86AB.pdf | ||
LT-848-C | LT-848-C ORIGINAL SMD or Through Hole | LT-848-C.pdf | ||
4013BT,653 | 4013BT,653 PHLNXP SMD or Through Hole | 4013BT,653.pdf | ||
W0508RA140 | W0508RA140 WESTCODE MODULE | W0508RA140.pdf | ||
HHV-50JT-52-4M | HHV-50JT-52-4M YAGEO DIP | HHV-50JT-52-4M.pdf | ||
GT218-670-A3 | GT218-670-A3 NVIDIA BGA | GT218-670-A3.pdf | ||
EEEHD0J752AM | EEEHD0J752AM PANASONIC SMD or Through Hole | EEEHD0J752AM.pdf |