창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB22P10TM_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB22P10TM_F085 | |
비디오 파일 | Driving Automotive Technology | |
주요제품 | One-Stop Automotive Shop | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263-2 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB22P10TM_F085TR FQB22P10TMF085 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB22P10TM_F085 | |
관련 링크 | FQB22P10T, FQB22P10TM_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | LD035A101FAB2A | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | LD035A101FAB2A.pdf | |
![]() | ECS-90-18-4XEN | 9MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ECS-90-18-4XEN.pdf | |
![]() | CRCW06037K50FKEA | RES SMD 7.5K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06037K50FKEA.pdf | |
![]() | H8182KBCA | RES 182K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8182KBCA.pdf | |
![]() | B72220S0111K101 | B72220S0111K101 EPCOS SMD or Through Hole | B72220S0111K101.pdf | |
![]() | GC4145 | GC4145 ORIGINAL DIPSOP | GC4145.pdf | |
![]() | TMP19A63CDXBG-7AC4 | TMP19A63CDXBG-7AC4 TOSHIBA FBGA | TMP19A63CDXBG-7AC4.pdf | |
![]() | HYB5117400BJ-50 | HYB5117400BJ-50 INFINEON SOJ24 | HYB5117400BJ-50.pdf | |
![]() | D161DT90VF | D161DT90VF AMD BGA | D161DT90VF.pdf | |
![]() | CO805P101J5GSC | CO805P101J5GSC KEMET SMD | CO805P101J5GSC.pdf |