창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQB12P20TM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQB12P20, FQI12P20 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | QFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 470m옴 @ 5.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263-2 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | FQB12P20TM-ND FQB12P20TMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQB12P20TM | |
관련 링크 | FQB12P, FQB12P20TM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
OEM2549-P100 | WHIP MC CTP 132-174MHZ | OEM2549-P100.pdf | ||
IMP809TEUR(001998) | IMP809TEUR(001998) IMP SOT23-3 | IMP809TEUR(001998).pdf | ||
AT-106PIN | AT-106PIN MACOM SOP-24 | AT-106PIN.pdf | ||
CBB400V334K ECQE4334KT | CBB400V334K ECQE4334KT NIS SMD or Through Hole | CBB400V334K ECQE4334KT.pdf | ||
TCM6000 | TCM6000 TI SOP-5.2 | TCM6000.pdf | ||
CT-9EX100R | CT-9EX100R COPAL SMD or Through Hole | CT-9EX100R.pdf | ||
44769-0601 | 44769-0601 MOLEX SMD or Through Hole | 44769-0601.pdf | ||
CXB1446R.. | CXB1446R.. SONY TQFP100 | CXB1446R...pdf | ||
M62BX8 75.00 3.3V | M62BX8 75.00 3.3V ORIGINAL WaferDie | M62BX8 75.00 3.3V.pdf | ||
HIP6015CB | HIP6015CB HAR Call | HIP6015CB.pdf | ||
4N60C3 | 4N60C3 ORIGINAL TO-220 | 4N60C3.pdf |