창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FQA13N50CF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FQA13N50CF | |
PCN 설계/사양 | Specification 28/Feb/2008 Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | FRFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2055pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 218W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FQA13N50CF | |
관련 링크 | FQA13N, FQA13N50CF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | A700X477M002ATE007 | 470µF 2V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 7 mOhm | A700X477M002ATE007.pdf | |
![]() | C917U680JZSDAA7317 | 68pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C917U680JZSDAA7317.pdf | |
![]() | LA15QS501 | FUSE CARTRIDGE 50A 150VAC/VDC | LA15QS501.pdf | |
![]() | 7703406UA | 7703406UA ESN SMD or Through Hole | 7703406UA.pdf | |
![]() | PZN11NB2A | PZN11NB2A NAT SOT-23 | PZN11NB2A.pdf | |
![]() | LT3508EFEPBF | LT3508EFEPBF LINEARTECH Tube 95 | LT3508EFEPBF.pdf | |
![]() | IL-FHJ-21S-HF-N1-R2000 | IL-FHJ-21S-HF-N1-R2000 JAE SMD or Through Hole | IL-FHJ-21S-HF-N1-R2000.pdf | |
![]() | K9K4G08QA0M | K9K4G08QA0M SAMSUNG SMD or Through Hole | K9K4G08QA0M.pdf | |
![]() | 20SV68M | 20SV68M SANYO SMD or Through Hole | 20SV68M.pdf | |
![]() | ISL6312AORZ | ISL6312AORZ MICROSEMI QFP | ISL6312AORZ.pdf | |
![]() | 19-1906 | 19-1906 ORIGINAL NEW | 19-1906.pdf |