창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FJV4104RMTF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FJV4104R Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FJV4104RMTF-ND FJV4104RMTFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FJV4104RMTF | |
| 관련 링크 | FJV410, FJV4104RMTF 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| -5.jpg) | CL05C390JC51PNC | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C390JC51PNC.pdf | |
|  | L2A2474 | L2A2474 EMC BGA | L2A2474.pdf | |
|  | 53C1020A-A1 | 53C1020A-A1 ORIGINAL BGA | 53C1020A-A1.pdf | |
|  | TEA2025B.CH | TEA2025B.CH SCH DIP | TEA2025B.CH.pdf | |
|  | OR2C06A-2M84 | OR2C06A-2M84 ORCA PLCC | OR2C06A-2M84.pdf | |
|  | Q24FA20H0021611 | Q24FA20H0021611 SEI SMD or Through Hole | Q24FA20H0021611.pdf | |
|  | SPB05-2R0 | SPB05-2R0 TDK SMD or Through Hole | SPB05-2R0.pdf | |
|  | K5D1G13ACE- | K5D1G13ACE- SAMSUNG SMD or Through Hole | K5D1G13ACE-.pdf | |
|  | CD1K0152KY5PK7ATR | CD1K0152KY5PK7ATR TECATEGROUP SMD or Through Hole | CD1K0152KY5PK7ATR.pdf | |
|  | W78E52BP-24JC | W78E52BP-24JC Winbond SMD or Through Hole | W78E52BP-24JC.pdf |