창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FFB20UP30DNTM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FFB20UP30DN | |
| PCN 설계/사양 | Datasheet Chg 01/Feb/2016 Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Size Update 29/Sep/2014 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1609 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 10A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 45ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 300V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | FFB20UP30DNTMTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FFB20UP30DNTM | |
| 관련 링크 | FFB20UP, FFB20UP30DNTM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GJM0335C1E5R5BB01D | 5.5pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GJM0335C1E5R5BB01D.pdf | |
![]() | P4KE200CA | TVS DIODE 171VWM 274VC AXIAL | P4KE200CA.pdf | |
![]() | 416F36022CTR | 36MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36022CTR.pdf | |
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![]() | RMCF0805FT1R50 | RES SMD 1.5 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT1R50.pdf | |
![]() | Y16251K64900Q0R | RES SMD 1.649K OHM 0.3W 1206 | Y16251K64900Q0R.pdf | |
![]() | CMF5514K200BERE | RES 14.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5514K200BERE.pdf | |
![]() | CBB473 | CBB473 panasonic DIP | CBB473.pdf | |
![]() | BD6704FV | BD6704FV ROHM TSSOP-16P | BD6704FV.pdf | |
![]() | OP29 | OP29 AD SMD or Through Hole | OP29.pdf | |
![]() | AP1506-50KSL-13 | AP1506-50KSL-13 Diodes SMD or Through Hole | AP1506-50KSL-13.pdf | |
![]() | SIS655 BO | SIS655 BO SIS BGA | SIS655 BO.pdf |