창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDT86113LZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDT86113LZ MA04A Pkg Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 315pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FDT86113LZ-ND FDT86113LZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDT86113LZ | |
관련 링크 | FDT861, FDT86113LZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | VJ1825A271JBAAT4X | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A271JBAAT4X.pdf | |
![]() | ASTMK-4.096KHZ-MP-D26-H-T | 4.096kHz NanoDrive™ MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.2 V ~ 3.63 V 1.3µA | ASTMK-4.096KHZ-MP-D26-H-T.pdf | |
![]() | RNF18FTD237K | RES 237K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD237K.pdf | |
![]() | M5128/68-15VC-20YI | M5128/68-15VC-20YI AMD QFP | M5128/68-15VC-20YI.pdf | |
![]() | BS120 | BS120 BOURNS SMD or Through Hole | BS120.pdf | |
![]() | MTC-302 | MTC-302 MANFUNG DIP | MTC-302.pdf | |
![]() | DS1123LE-50+ | DS1123LE-50+ Maxim NA | DS1123LE-50+.pdf | |
![]() | CTL2000 | CTL2000 NXP SOP28 | CTL2000.pdf | |
![]() | AT443M41LF | AT443M41LF ATMEL SOP8 | AT443M41LF.pdf | |
![]() | LM75BIM5NOPB | LM75BIM5NOPB nsc SMD or Through Hole | LM75BIM5NOPB.pdf | |
![]() | MN3850 | MN3850 PANASONI DIP8 | MN3850.pdf | |
![]() | TCD2258D1 | TCD2258D1 TOSHIBA SMD or Through Hole | TCD2258D1.pdf |