창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-DMN3025LSS-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | DMN3025LSS | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 641pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | DMN3025LSS-13DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | DMN3025LSS-13 | |
| 관련 링크 | DMN3025, DMN3025LSS-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SBAT54XV2T1G | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 | SBAT54XV2T1G.pdf | |
![]() | L34NFO | L34NFO ST QFN | L34NFO.pdf | |
![]() | MT30AT1G | MT30AT1G ON SMD or Through Hole | MT30AT1G.pdf | |
![]() | UMK105CH330JW-F | UMK105CH330JW-F TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | UMK105CH330JW-F.pdf | |
![]() | HDSP4836 | HDSP4836 AVAGOTECHNOLOGIESLIMITED SMD or Through Hole | HDSP4836.pdf | |
![]() | UPD67030GF-E19-3BA | UPD67030GF-E19-3BA NEC QFP 100 | UPD67030GF-E19-3BA.pdf | |
![]() | R8J32801AFPV | R8J32801AFPV RENESAS QFP | R8J32801AFPV.pdf | |
![]() | C0603C0G1E010CT | C0603C0G1E010CT TDK SMD or Through Hole | C0603C0G1E010CT.pdf | |
![]() | CMIWLGRL2 | CMIWLGRL2 ORIGINAL SMD or Through Hole | CMIWLGRL2.pdf | |
![]() | PT02SE16-8S(025) | PT02SE16-8S(025) Amphenol SMD or Through Hole | PT02SE16-8S(025).pdf | |
![]() | NSPG500DS | NSPG500DS NICHIA ROHS | NSPG500DS.pdf | |
![]() | ABTH162244 | ABTH162244 TI SSOP | ABTH162244.pdf |