창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDT434P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDT434P MA04A Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 6A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1187pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223-4 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | FDT434P-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDT434P | |
관련 링크 | FDT4, FDT434P 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0402D6R2CXBAC | 6.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R2CXBAC.pdf | ||
BZT52HC13WF-7 | DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F | BZT52HC13WF-7.pdf | ||
CFM14JT200K | RES 200K OHM 1/4W 5% CF MINI | CFM14JT200K.pdf | ||
HSDL-3201#001 | IRDA MODULE 115.2KBPS 8-SMD | HSDL-3201#001.pdf | ||
SC509146CDW | SC509146CDW SC SOP28 | SC509146CDW.pdf | ||
MC10EL11DTR2G | MC10EL11DTR2G ON MSOP-8 | MC10EL11DTR2G.pdf | ||
CXA1421M-T3 | CXA1421M-T3 SONY SOP16 | CXA1421M-T3.pdf | ||
MM771 | MM771 MIT SOP | MM771.pdf | ||
RO2183A | RO2183A RFM SMD or Through Hole | RO2183A.pdf | ||
2SJ107A | 2SJ107A VISHAY TO-92 | 2SJ107A.pdf | ||
IMC-1210 10UH | IMC-1210 10UH VISHAY SMD or Through Hole | IMC-1210 10UH.pdf | ||
KS6M3U1874CBP | KS6M3U1874CBP KAWASAK BGA | KS6M3U1874CBP.pdf |