Fairchild Semiconductor FDS6690AS

FDS6690AS
제조업체 부품 번호
FDS6690AS
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDS6690AS 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 373.62125
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDS6690AS 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDS6690AS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDS6690AS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDS6690AS 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDS6690AS 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDS6690AS
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDS6690AS
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Mold Compound 12/Dec/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®, SyncFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs12m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs23nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds910pF @ 15V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름FDS6690AS-ND
FDS6690ASTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDS6690AS
관련 링크FDS66, FDS6690AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDS6690AS 의 관련 제품
82pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D820KLXAP.pdf
2200pF Film Capacitor 800V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) ECW-H8222HL.pdf
Red 621nm LED Indication - Discrete 2V Radial C4SMT-RJS-CS0V0BB2.pdf
RES 10 OHM 10W 5% RADIAL TP810PW10R0JE.pdf
SL32005 NS DIP8 SL32005.pdf
STP7NE10L ST TO-220 STP7NE10L.pdf
LM358ADKR TI MSOP8 LM358ADKR.pdf
AV6502 APLUS SMD or Through Hole AV6502.pdf
TIM5964-60SL-422 Toshiba SMD or Through Hole TIM5964-60SL-422.pdf
V40100G-HM3 VISHAY TO-220 V40100G-HM3.pdf
C5616 PAN TO3PF C5616.pdf