창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS4897C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS4897C | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A, 4.4A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 6.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 760pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS4897CTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS4897C | |
관련 링크 | FDS4, FDS4897C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP386M560100YT8 | 6µF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box 2.284" L x 1.378" W (58.00mm x 35.00mm) | MKP386M560100YT8.pdf | |
![]() | TC54VN2102EZB | TC54VN2102EZB Microchip TO-92-3 | TC54VN2102EZB.pdf | |
![]() | 85984 | 85984 N/A PLCC | 85984.pdf | |
![]() | M24C64-WMN6T/KA | M24C64-WMN6T/KA ST SOP8 | M24C64-WMN6T/KA.pdf | |
![]() | km2520ec01 | km2520ec01 kbe SMD or Through Hole | km2520ec01.pdf | |
![]() | 91161 | 91161 ORIGINAL SMD or Through Hole | 91161.pdf | |
![]() | ET486SLC2-A | ET486SLC2-A ETEQ SMD or Through Hole | ET486SLC2-A.pdf | |
![]() | BD82CPDS/QNDHES | BD82CPDS/QNDHES INTEL BGA | BD82CPDS/QNDHES.pdf | |
![]() | TC74HC04AFNF | TC74HC04AFNF TOSHIBA SMD or Through Hole | TC74HC04AFNF.pdf | |
![]() | 39-00-0182 | 39-00-0182 ORIGINAL NEW | 39-00-0182.pdf | |
![]() | LTV-817-X-C | LTV-817-X-C ORIGINAL DIP | LTV-817-X-C.pdf |