창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP7N60NZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)7N60NZ TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET-II™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25옴 @ 3.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 730pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 147W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP7N60NZ | |
| 관련 링크 | FDP7N, FDP7N60NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 744782012 | 1.2nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | 744782012.pdf | |
![]() | CW02B3K900JS70 | RES 3.9K OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B3K900JS70.pdf | |
![]() | CBC3225T100KRK | CBC3225T100KRK KEMET SMD | CBC3225T100KRK.pdf | |
![]() | MC74HC73DR2 | MC74HC73DR2 MOT SOP-14 | MC74HC73DR2.pdf | |
![]() | GVT72256A16ATS-12TR | GVT72256A16ATS-12TR ORIGINAL SMD or Through Hole | GVT72256A16ATS-12TR.pdf | |
![]() | GL8PR21 | GL8PR21 SHARP ROHS | GL8PR21.pdf | |
![]() | TPS62202DBVR/ROHS | TPS62202DBVR/ROHS TI/PB SOT23-5 | TPS62202DBVR/ROHS.pdf | |
![]() | COMDSP-1809 | COMDSP-1809 DSI QFP | COMDSP-1809.pdf | |
![]() | PEF55004E V1.2 | PEF55004E V1.2 INFINEON BGA | PEF55004E V1.2.pdf | |
![]() | NE567E | NE567E PHI CDIP14 | NE567E.pdf | |
![]() | FSR120F | FSR120F FUZ DIP | FSR120F.pdf | |
![]() | LQH32MN221J21L | LQH32MN221J21L MURATA SMD or Through Hole | LQH32MN221J21L.pdf |