창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP7N60NZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP(F)7N60NZ TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.25옴 @ 3.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 730pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 147W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP7N60NZ | |
관련 링크 | FDP7N, FDP7N60NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602BIA13-18E-38.400000D | OSC XO 1.8V 38.4MHZ OE | SIT1602BIA13-18E-38.400000D.pdf | |
![]() | FVXO-LC52B-148.351648 | 148.351648MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 2.5V 34mA Enable/Disable | FVXO-LC52B-148.351648.pdf | |
![]() | CRCW04022R70JNEDHP | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/5W 0402 | CRCW04022R70JNEDHP.pdf | |
![]() | MRS25000C5101FC100 | RES 5.1K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C5101FC100.pdf | |
![]() | CYP629965 | CYP629965 CYP SSOP48 | CYP629965.pdf | |
![]() | 2123CP | 2123CP XR DIP28 | 2123CP.pdf | |
![]() | ZO0607MA | ZO0607MA ST SMD or Through Hole | ZO0607MA.pdf | |
![]() | 199D686X9025F6V1 | 199D686X9025F6V1 VISHAY DIP-2 | 199D686X9025F6V1.pdf | |
![]() | LA5-250V181MS31 | LA5-250V181MS31 ELNA SMD or Through Hole | LA5-250V181MS31.pdf | |
![]() | K4H511638E-TLB0 | K4H511638E-TLB0 SAMSUNG TSOP66 | K4H511638E-TLB0.pdf | |
![]() | EL7561CM | EL7561CM EL SOP28 | EL7561CM.pdf | |
![]() | 5921-Q-S-C-Z03-G | 5921-Q-S-C-Z03-G glgnet NA | 5921-Q-S-C-Z03-G.pdf |