창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS7672AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS7672AS | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2820pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS7672AS-ND FDMS7672ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS7672AS | |
| 관련 링크 | FDMS76, FDMS7672AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C0402C829D5GACTU | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C829D5GACTU.pdf | |
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![]() | AT0805FRE0710KL | RES SMD 10K OHM 1% 1/8W 0805 | AT0805FRE0710KL.pdf | |
![]() | ERA-2ARC4871X | RES SMD 4.87K OHM 1/16W 0402 | ERA-2ARC4871X.pdf | |
![]() | RT0603CRD0716R9L | RES SMD 16.9OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRD0716R9L.pdf | |
![]() | 636205-03 | 636205-03 FAIRCHILD DIP 14 | 636205-03.pdf | |
![]() | DS1308Z | DS1308Z DALLAS SOP-8 | DS1308Z.pdf | |
![]() | GA252DB2E472MY02L | GA252DB2E472MY02L ORIGINAL SMD or Through Hole | GA252DB2E472MY02L.pdf | |
![]() | T5754 | T5754 ATMEL SMD or Through Hole | T5754.pdf | |
![]() | ISL58955ENG5 | ISL58955ENG5 ISL QFN38 | ISL58955ENG5.pdf | |
![]() | IS46DR81280A-25EBLA1 | IS46DR81280A-25EBLA1 ISSI FBGA | IS46DR81280A-25EBLA1.pdf |