홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » FDMS3669S

Fairchild Semiconductor FDMS3669S

FDMS3669S
제조업체 부품 번호
FDMS3669S
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDMS3669S 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 375.99344
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDMS3669S 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDMS3669S 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDMS3669S가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDMS3669S 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDMS3669S 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDMS3669S
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDMS3669S
주요제품Cloud Systems Computing
Mid- and Low-Voltage MOSFETs
PCN 조립/원산지Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(이중) 비대칭
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C13A, 18A
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 13A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.7V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1605pF @ 15V
전력 - 최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지8-PQFN(5x6), Power56
표준 포장 3,000
다른 이름FDMS3669STR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDMS3669S
관련 링크FDMS3, FDMS3669S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDMS3669S 의 관련 제품
RES SMD 169K OHM 1% 1/10W 0603 AR0603FR-07169KL.pdf
RES SMD 0.007 OHM 5% 1W 2512 PE2512JKM070R007L.pdf
JRC7824A JRC TO-220F JRC7824A.pdf
SW2-303 NEC TQFP128 SW2-303.pdf
FYDOH474ZF NEC/TOKIN SMD or Through Hole FYDOH474ZF.pdf
K224M20X7RF5.H5 VISHAY DIP K224M20X7RF5.H5.pdf
LB1965 SANYO SMD or Through Hole LB1965.pdf
BU1006 VISHAY SMD or Through Hole BU1006.pdf
Z0840006VSCz80 ZILOG PLCC Z0840006VSCz80.pdf
DPV12832V-200M ORIGINAL HIP66 DPV12832V-200M.pdf
3CTG30A CHINA SMD or Through Hole 3CTG30A.pdf
LP38841-ADJ NS SMD or Through Hole LP38841-ADJ.pdf