창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMC8462 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMC8462 | |
| 카탈로그 페이지 | 1604 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(3.3x3.3), Power33 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMC8462TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMC8462 | |
| 관련 링크 | FDMC, FDMC8462 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| .jpg) | GCM188R71H682KA37D | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM188R71H682KA37D.pdf | |
|  | CMR07F512GPDP | CMR MICA | CMR07F512GPDP.pdf | |
|  | S1210R-153J | 15µH Shielded Inductor 254mA 2.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-153J.pdf | |
|  | DR-ODC5 | DC Output Module 0.01 ~ 3A 3 ~ 60VDC Output 5VDC (3.5 ~ 8VDC) Supply | DR-ODC5.pdf | |
|  | IC39159M | IC39159M ICS SOP DIP | IC39159M.pdf | |
|  | B1-1205S | B1-1205S BOTHHAN SIP | B1-1205S.pdf | |
|  | QTS1050A-1021 | QTS1050A-1021 FOXCONN SMD or Through Hole | QTS1050A-1021.pdf | |
|  | RGPSM002 | RGPSM002 Semtech SMD or Through Hole | RGPSM002.pdf | |
|  | MAX808L | MAX808L ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX808L.pdf | |
|  | HDL4M2RCQD060-00 | HDL4M2RCQD060-00 HITACHI BGA | HDL4M2RCQD060-00.pdf | |
|  | LAH-63V272MS3 | LAH-63V272MS3 ELNA SMD or Through Hole | LAH-63V272MS3.pdf | |
|  | KL899 | KL899 shinkoh SMD or Through Hole | KL899.pdf |