창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDFMA3P029Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDFMA3P029Z | |
주요제품 | FDFMA3P029Z PowerTrench® MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 87m옴 @ 3.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 435pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | MicroFET 2x2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | FDFMA3P029ZCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDFMA3P029Z | |
관련 링크 | FDFMA3, FDFMA3P029Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UHE1H102MHD3TN | 1000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | UHE1H102MHD3TN.pdf | ||
1812-221F | 220nH Unshielded Inductor 708mA 400 mOhm Max 2-SMD | 1812-221F.pdf | ||
E-1048-8I4-C3D3V0-4U3-7.5A | CIR BRKR THRM 7.5A | E-1048-8I4-C3D3V0-4U3-7.5A.pdf | ||
AA1206FR-073KL | RES SMD 3K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-073KL.pdf | ||
RCP0505W20R0GEB | RES SMD 20 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W20R0GEB.pdf | ||
HSCSAAN001NDAA3 | Pressure Sensor ±0.04 PSI (±0.25 kPa) Differential Male - 0.19" (4.93mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 4-SIP, Dual Ports, Opposite Sides | HSCSAAN001NDAA3.pdf | ||
01H | 01H ORIGINAL QFN | 01H.pdf | ||
LCBT67S-P1R1-5J6K | LCBT67S-P1R1-5J6K OSRAM SMD | LCBT67S-P1R1-5J6K.pdf | ||
USB-A-S-F-W-VU-RC | USB-A-S-F-W-VU-RC SAMTEC SMD or Through Hole | USB-A-S-F-W-VU-RC.pdf | ||
ESB477M010AL3AA | ESB477M010AL3AA ARCOTRNIC DIP | ESB477M010AL3AA.pdf | ||
S5L929X02-QO | S5L929X02-QO ORIGINAL SMD or Through Hole | S5L929X02-QO.pdf | ||
ISL24007BA-ES | ISL24007BA-ES ISL QFN38 | ISL24007BA-ES.pdf |