창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDD6685 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDD6685 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1601 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1715pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDD6685-ND FDD6685TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDD6685 | |
| 관련 링크 | FDD6, FDD6685 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DZ2J027M0L | DIODE ZENER 2.7V 200MW SMINI2 | DZ2J027M0L.pdf | |
![]() | CMF55105K00CHBF | RES 105K OHM 1/2W .25% AXIAL | CMF55105K00CHBF.pdf | |
![]() | SM535-1L | SM535-1L BOURNS SMD or Through Hole | SM535-1L.pdf | |
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![]() | IRU1010CDTR | IRU1010CDTR IOR TO-252 | IRU1010CDTR.pdf | |
![]() | RC28F256J3C | RC28F256J3C INTEL SMD or Through Hole | RC28F256J3C.pdf | |
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![]() | SSTE32882KA1 | SSTE32882KA1 IDT Navis | SSTE32882KA1.pdf | |
![]() | P200CH10FKO | P200CH10FKO Westcode SMD or Through Hole | P200CH10FKO.pdf | |
![]() | 0D69J | 0D69J FREESCALE QFPBGA | 0D69J.pdf | |
![]() | HD6432323F | HD6432323F HIT QFP | HD6432323F.pdf |