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Fairchild Semiconductor FDD2670

FDD2670
제조업체 부품 번호
FDD2670
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK
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내부 부품 번호EIS-FDD2670
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDD2670
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.6A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs130m옴 @ 3.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs43nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1228pF @ 100V
전력 - 최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,500
다른 이름FDD2670-ND
FDD2670TR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDD2670
관련 링크FDD2, FDD2670 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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