창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDC6321C | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDC6321C | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | FDC6x, NDC7003P Die 11/May/2007 Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 680mA, 460mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 500mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.3nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 700mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT™-6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDC6321C-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDC6321C | |
관련 링크 | FDC6, FDC6321C 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RC0805JR-07270KL | RES SMD 270K OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-07270KL.pdf | |
![]() | 526090891 | 526090891 MOLEX SMD or Through Hole | 526090891.pdf | |
![]() | TDA10024HN/C1,557 | TDA10024HN/C1,557 NXP SMD or Through Hole | TDA10024HN/C1,557.pdf | |
![]() | S11MD8T | S11MD8T SHARP DIP5 | S11MD8T.pdf | |
![]() | HS810256.700MHZ | HS810256.700MHZ NEL OSC | HS810256.700MHZ.pdf | |
![]() | VE-263-CU | VE-263-CU VICOR SMD or Through Hole | VE-263-CU.pdf | |
![]() | DNF1900-C0126 | DNF1900-C0126 ORIGINAL SMD or Through Hole | DNF1900-C0126.pdf | |
![]() | ISL3178E | ISL3178E ORIGINAL SMD or Through Hole | ISL3178E.pdf | |
![]() | PALC16V8-20DMB | PALC16V8-20DMB CYPRESS CDIP | PALC16V8-20DMB.pdf | |
![]() | 7660D | 7660D JRC DIP-8 | 7660D.pdf | |
![]() | RP1032 | RP1032 RFM TO39-3 | RP1032.pdf | |
![]() | MA86C | MA86C MOSART TQFP-80P | MA86C.pdf |